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如何優化PCB設計以最大限度提高超級結MOSFET的性能?基于最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。
2015/07/24
7488- MOS 集成電路使用操作準則所有 MOS 集成電路 （包括 P 溝道 MOS， N 溝道 MOS， 互補 MOS — CMOS 集成電路） 都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是 25nm 50nm 80nm 三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網絡進行保護，雖然如此...2014/07/286008
